摘要：本发明公开了一种阻变存储单元器件的制备方法，具体是指以金属Au和Ag分别做为上下电极、以0.5wt%掺Nb的单晶SrTiO3做为阻变层材料的一种基于界面氧空位实现多值存储的阻变存储器件方法。本发明通过以含Nb单晶SrTiO3为衬底，并超声清洗干净，自然晾干；然后用掩膜板遮挡，使用射频磁控溅射方法在衬底上溅射金属金薄膜做为一电极，金属银做为另一电极使用；再将两电极用铜线连接。本发明的优点是：所用器材为商业产品，无需繁琐制备；工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、结构连续。所制备的器件结构具有较大的存储窗口、良好的保持特性及多值存储的性能。
专利号：ZL201210199475.9
授权公告日：2014年3月12日
专利类型：发明专利
发明人：李培刚、申婧翔、王国锋、张岩、王顺利、陈本永、唐为华