摘要：本发明公开了以碳化硅纳米线为气敏材料制备高温气体传感器的方法。本发明以碳化硅纳米线为气敏材料，在碳化硅纳米线的表面生成贵金属催化剂纳米粒子，以石英、氧化铝或玻璃等材料为基底，将碳化硅纳米线置于基底上，采用金、银和铂等金属为电极，并进行退火处理，然后在电极的两端引入导线，实现单根纳米线传感器的制备。本发明利用SiC纳米线为气敏材料，实现了高温下气体传感器的制备，对于高温、高抗辐射等苛刻条件下工作的气体传感具有一定的意义；以贵金属纳米粒子（如：Pt、Pd和Ag）为碳化硅纳米线的表面修饰，贵金属纳米粒子催化剂的使用，提高了气敏的反应速度和灵敏度。
    专利号：ZL201210231396.1
    授权公告日：2014年5月14日
    专利类型：发明专利
    发明人：陈建军