摘要：本发明公开一种In2O3镂空状纳米四面体结构及其制备方法；该材料是在通过水热发制备出的钛酸盐纳米线基底上，通过磁控溅射技术制备出高比表面积、高通透率的In2O3纳米四面体；该结构具有良好光催化性能与导电性能。
专利号：ZL201310217873.3
授权公告日：2015年1月14日
专利类型：发明专利
发明人：陈旭 董文钧 孙国防